<blockquote id="8myqe"></blockquote>
<blockquote id="8myqe"><label id="8myqe"></label></blockquote>
<samp id="8myqe"><sup id="8myqe"></sup></samp>
<samp id="8myqe"><sup id="8myqe"></sup></samp>
<samp id="8myqe"><label id="8myqe"></label></samp>
<samp id="8myqe"></samp>
<blockquote id="8myqe"></blockquote>
当前位置:首页 > 专家 > 详细信息
周大雨 教授,博士生导师
专家姓名: 周大雨 职务:
职称: 教授,博士生导师 专业类别:
研究方向:
[1] 电子功能材料与元器件
[2] 新型压电铁电材料及应用
[3] 纳米薄膜材料制备技术
[4] 电介质薄膜测试技术与可靠性评估
自我介绍:
周大雨,博士,教授,博士生导师。

主要研究领域:电子功能材料与元器件、新型压电铁电材料及应用、纳米薄膜材料制备技术、电介质薄膜测试技术与可靠性评估。

教育及工作经历:
1989/09-1993/07,电子科技大学,信息材料工程学院电子材料系,学士;
1994/09-1998/06,电子科技大学,信息材料工程学院电子材料系,硕士(辅导员在职学习);
1997/07-1999/10,电子科技大学,信息材料工程学院电子陶瓷教研室,助教;
1999/11-2003/02,德国卡尔斯鲁厄工业大学,机械工程系,博士;
2003/03-2003/12,德国卡尔斯鲁厄工业大学,机械工程系,博士后;
2004/01-2007/03,德国卡尔斯鲁厄研究中心(FZK),德国研究基金会(DFG)项目负责人;
2007/04-2009/03,德国德雷斯顿奇梦达公司(Qimonda Dresden),高-k电介质材料工程师;
2009/10-2010/09,德国德累斯顿工业大学,NaMLab研究所,博士后研究员;
2010/10至今,大连理工大学,材料科学与工程学院,教授,博士生导师;

国际与国内交流合作:
与德国德累斯顿工业大学NaMLab研究所和卡尔斯鲁厄理工学院(KIT)、中国科学院上海硅酸盐研究所、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、英特尔半导体(大连)有限公司、大连德豪光电科技有限公司等机构建立了密切的科研合作和人员交流关系。
社会兼职
中德“高-k电介质材料、器件性能及可靠性”双边研讨会(Dresden,Mar 2014)中方召集人
研究领域(研究课题)
[1] 国家自然科学基金面上项目:HfO2基新型铁电薄膜的自发极化机制和失效行为研究 (51272034),2013-2016,项目负责人;
[2] 电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题:铁电性HfO2基薄膜的自发极化起源与宏观电学性能研究(KFJJ201101),2011-2013, 项目负责人;
[3] 大连理工大学基本科研业务费专项项目引进人才科研专题:一种与硅基半导体工艺兼容的电介质薄膜的铁电性质与可靠性研究 (DUT10RC(3)94),2011-2012, 项目负责人;
[4] 大连理工大学基本科研业务费专项项目重点实验室科研专题:掺硅二氧化铪薄膜铁电-反铁电相变研究,2015-2017, 项目负责人;
[5] 德国研究基金会(DFG)项目:压电陶瓷在大信号热、机、电耦合作用下非线性行为的实验研究( ZH62/1-1,ZH62/1-2),2004-2007,项目负责人;
[6] 德国Qimonda Dresden 公司65nm和46nm埋藏字元线(buried word-line)技术内存产品研发项目,2007-2009,高-k 电介质薄膜可靠性评估负责人;
[7] European Fund for Regional Development and the Free State of Saxony (HEIKO Project No. 100064806),2010-2014,主要参与者;
硕博研究方向
[1] 电子功能材料与元器件
[2] 新型压电铁电材料及应用
[3] 纳米薄膜材料制备技术
[4] 电介质薄膜测试技术与可靠性评估
出版著作和论文
代表性论文:
[1] 周大雨,徐进,J. Mueller, U. Schroeder, Si掺杂HfO2薄膜的铁电和反铁电性质,物理学报,63[11] 117703 (2014).
[2] 李清,郭春霞,周大雨, 曲德舜,梁海龙, 纯水基溶胶-凝胶法制备HfO2纳米超薄膜, 功能材料,16[45], 16111-16115 (2014).
[3] 叶飞,肖海珠,周大雨, HfO2铁电相与四方相转变关系的第一性原理研究,功能材料,16[45], 16070-16073 (2014).
[4] S. Knebel, U. Schroeder, Dayu Zhou, T. Mikolajick, and G. Krautheim, Conduction Mechanisms and Breakdown Characteristics of Al2O3-Doped ZrO2 High-k Dielectrics for Three-Dimensional Stacked Metal–Insulator–Metal Capacitors, IEEE Trans. Device Mater. Rel. 14[1], 154-160 (2014).
[5] Dayu Zhou, J. Xu, Q. Li, Y. Guan, F. Cao, X. Dong, J. Müller, T. Schenk, and U. Schroeder, Wake-up effects in Si-doped hafnium oxide ferroelectric thin films, Appl. Phys. Lett. 103, 192904 (2013).
[6] Dayu Zhou, J. Mueller, J. Xu, S. Knebel, D. Braeuhaus and U. Schroeder, Insights into electrical characteristics of silicon doped hafnium oxide ferroelectric thin films, Appl. Phys. Lett. 100, 082905 (2012).
[7] Dayu Zhou, U. Schroeder, J. Xu, J. Heitmann, G. Jegert, W. Weinreich, M. Kerber, S. Knebel, E. Erben, and T. Mikolajick, Reliability of Al2O3-doped ZrO2 high-k dielectrics in 3-dimensional stacked metal-insulator-metal capacitors, J. Appl. Phys. 108[12] 124104 (2010).
[8] Dayu Zhou, R. Wang, and M. Kamlah, Determination of reversible and irreversible contributions to the polarization and strain response of soft PZT using the partial unloading method, J. Eur. Ceram. Soc. 30[12] 2603 (2010).
[9] Dayu Zhou, U. Schroeder, G. Jegert, M. Kerber, S. Uppal, R. Agaiby, M. Reinicke, J. Heitmann, and L. Oberbeck, Time dependent dielectric breakdown of amorphous ZrAlxOy high-k dielectric used in dynamic random access memory metal-insulator-metal capacitor, J. Appl. Phys. 106[4] 044104 (2009).
[10] R. Agaiby, P. Hofmann, Dayu Zhou, M. Kerber, J. Heitmann, U. Schroeder, E. Erben, L. Oberbeck, First insight into the lifetime acceleration model of high-k ZrO2/SiO2/ZrO2 stacks for advanced DRAM technology nodes, IEEE Electron Device Lett. 30[4] 340–342 (2009).
[11] Dayu Zhou and M. Kamlah, Room-temperature creep of soft PZT under static electrical and compressive stress loading, Acta Mater. 54[5]1389-1396 (2006).
[12] Dayu Zhou, M. Kamlah, and D. Munz, Effects of bias electric fields on the non-linear ferroelastic behavior of soft lead zirconate titanate piezoceramics, J. Am. Ceram. Soc. 88[4] 867–874 (2005).
[13] Dayu Zhou, M. Kamlah, and D. Munz, Effects of uniaxial prestress on the ferroelectric hysteretic response of soft PZT, J. Eur. Ceram. Soc. 25[4] 425-432 (2005).
[14] Dayu Zhou, Z. Wang, and M. Kamlah, Experimental investigation of domain switching criterion for soft lead zirconate titanate piezoceramics under coaxial proportional electromechanical loading, J. Appl. Phys. 97[8] 084105 (2005).
[15] Dayu Zhou and M. Kamlah, High-field dielectric and piezoelectric performance of soft lead zirconate titanate piezoceramics under combined electromechanical loading, J. Appl. Phys. 96[11] 6634-6641 (2004).
[16] Dayu Zhou, M. Kamlah, and D. Munz, Uniaxial compressive stress dependence of the high-field dielectric and piezoelectric performance of soft PZT piezoceramics, J. Mater. Res. 19[3] 834-842 (2004).
工作成果(奖励、专利等)
在压电铁电陶瓷材料研究领域(2003-2007):以汽车发动机压电燃油喷射阀研发为背景,独立设计建造了大信号机电耦合加载实验平台,首次对压电执行器工业实际应用的PZT陶瓷材料在单轴预应力下的铁电行为和直流偏压下的铁弹性响应进行了深入研究;开创性地开展了多轴机电耦合加载试验,提出了压电陶瓷材料的屈服和硬化条件;在国际上率先对压电陶瓷的室温蠕变特性进行了系统深入的实验研究。以第一作者在Acta Materialia, Journal of Applied Physics, Journal of the European Ceramic Society, Journal of the American Ceramic Society, Journal of Materials Research等刊物发表论文15篇,是国际上压电铁电材料非线性行为研究领域最为广泛引用的参考文献,目前累计SCI他引350余次,单篇最高他引100余次;作国际会议报告8次。

在高-k电介质薄膜研究领域(2007年至今):参加了原世界第二大内存芯片制造商--德国Qimonda公司65nm和46nm两代内存产品的研发和量产定型,对存储电容器用HfO2和ZrO2 高-k薄膜的可靠性进行了系统评估;作为研发团队主要成员参加了HfO2基纳米薄膜铁电性质的原始发现和验证工作,在国内率先申请了该新型铁电材料的研究立项。已在Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics, IEEE Electron Device Lett. 等刊物发表论文10篇,第一作者6篇;作国际会议报告4次。

[1] 2004年12月获德国卡尔斯鲁厄研究中心杰出贡献奖;
[2] 参与完成的国防预研项目‘微波介质陶瓷’获电子工业部科技进步三等奖(1996年)、‘高性能微波陶瓷材料’获成都市科技进步三等奖(2002年);
[3] 1994和1995年度‘成都市优秀团干部’;
[4] 1994年度‘四川省大学生社会实践优秀指导教师’;
[5] 1993年被评为‘四川省优秀大学毕业生’;
所在单位: 大连理工大学,材料科学与工程学院

所在单位:中国科学院合肥物质科学研究院

所在单位:浙江丰利粉碎设备有限公司

牛牛跑分平台